立足崗位踔厲奮發，加快半導體(tǐ)材料創新發展-中(zhōng)國電(diàn)子科技集團有限公司

　　黨的二十大(dà)報告強調，要加快實施創新驅動發展戰略，加快實現高水平科技自立自強，以國家戰略需求爲導向，集聚力量進行原創性引領性科技攻關，堅決打赢關鍵核心技術攻堅戰。

　　“終于成功了！”近日，中(zhōng)國電(diàn)科46所成功制備出2英寸氧化镓同質外(wài)延片，實現在該領域的再次突破。

　　走進緊張忙碌的新型半導體(tǐ)材料重點實驗室，一(yī)台台單晶和外(wài)延生(shēng)長設備映入眼簾，在這些看似神秘的裝置裏，白(bái)色氧化镓粉末聚沙成塔默默生(shēng)長，由它打磨而成的抛光片、外(wài)延片，制作成的各類器件，在消費(fèi)電(diàn)子、新能源汽車(chē)、特高壓輸電(diàn)、軌道交通等領域有着廣闊應用前景。

　　氧化镓作爲第四代半導體(tǐ)材料可謂“天資(zī)卓越”，超大(dà)禁帶寬度使其能用更少材料制造出更高耐壓、更強處理能力的半導體(tǐ)器件。面對氧化镓自主創新重任，46所實施揭榜挂帥，突破2英寸、4英寸氧化镓單晶生(shēng)長技術，研制出高耐壓外(wài)延片，爲實現氧化镓批量生(shēng)産打下(xià)堅實基礎。

　　這是中(zhōng)國電(diàn)科加快關鍵基礎材料自主創新的生(shēng)動實踐。

　　堅持把科技命脈掌握在自己手中(zhōng)，46所以超寬禁帶半導體(tǐ)技術創新爲引領，以矽外(wài)延産業優勢爲依托，加快突破先進矽材料和化合物(wù)半導體(tǐ)材料原創技術。

　　從率先研制出滿足深紫外(wài)探測要求的高透氮化鋁單晶，技術領先的同帶泵浦激光光纖，到大(dà)幅提升6英寸砷化镓單晶材料電(diàn)阻率，從形成矽單晶、矽片、矽外(wài)延等完整産業鏈，到光纖環圈産能産量實現翻番增長。近年來，立足電(diàn)子功能材料領域深厚基礎，46所聚焦“打基礎、見成效、跨越式發展”三步走目标，全面布局一(yī)代、二代、三代、四代半導體(tǐ)“賽道”，奮力實現系列創新突破。

　　創新實力穩步提升，爲産業應用提供了硬支撐。

　　全力推進科技成果轉化和産業化發展，46所加快布局第三代半導體(tǐ)材料産業，不斷延鏈擴鏈強鏈，不斷提升行業地位和影響力，勇擔産業鏈“鏈長”，奮力打造國内領先、世界先進的材料創新發展集群，支撐我(wǒ)國半導體(tǐ)材料産業蓬勃發展。